在追求更高精度、更小損傷的半導(dǎo)體制造中，光刻膠的去除是關(guān)鍵一環(huán)。安動(dòng)半導(dǎo)體微波去膠機(jī)，以創(chuàng)新的微波等離子體干法去膠技術(shù)，為行業(yè)帶來(lái)高效、極微損傷、環(huán)保安全的解決方案，助力半導(dǎo)體生產(chǎn)邁向更綠色、更智能的未來(lái)！

核心優(yōu)勢(shì)：干法去膠，智造未來(lái)

安動(dòng)微波去膠機(jī)摒棄了傳統(tǒng)的濕法化學(xué)清洗，采用先進(jìn)的化學(xué)性干法刻蝕原理。利用2.45GHz高頻微波激發(fā)高密度等離子體，產(chǎn)生大量高活性粒子，實(shí)現(xiàn)光刻膠的高效、精準(zhǔn)剝離，同時(shí)將對(duì)襯底的損傷降至最低。

四大核心價(jià)值，引領(lǐng)技術(shù)革新

極速高效：

去膠速率高達(dá) 40,000 ?/min，顯著提升產(chǎn)線效率，加速晶圓流轉(zhuǎn)。

告別耗時(shí)費(fèi)力的化學(xué)浸泡，干法工藝一步到位。

超低微損傷：

核心采用化學(xué)刻蝕而非物理轟擊，對(duì)敏感材料和精密結(jié)構(gòu)損傷極低。

尤其適用于先進(jìn)制程中對(duì)損傷要求嚴(yán)苛的環(huán)節(jié)。

卓越均勻性：

通過(guò)穩(wěn)定微波源（MKS品牌）、優(yōu)化腔體與氣流設(shè)計(jì)、精準(zhǔn)控溫（最高250℃）等，確保整片晶圓去膠均勻性 <7%。

工藝一致性高，良率更有保障。

綠色安全：

徹底摒棄有害化學(xué)溶劑，無(wú)廢液污染，符合嚴(yán)苛環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。

微波波段無(wú)紫外輻射，操作環(huán)境更安全健康。

助力企業(yè)實(shí)現(xiàn)綠色低碳生產(chǎn)目標(biāo)。

強(qiáng)大性能，智能操控

智能大腦：搭載直觀友好的Windows操作系統(tǒng)與智能控制軟件，支持多語(yǔ)言，操作便捷。

精準(zhǔn)執(zhí)行：進(jìn)口Hine機(jī)械臂，取放精度達(dá) 0.05mm，穩(wěn)定可靠。

清晰可視：軟件界面提供動(dòng)畫(huà)演示，實(shí)時(shí)顯示設(shè)備運(yùn)行狀態(tài)與產(chǎn)品位置，一目了然。

穩(wěn)定基石：核心部件采用行業(yè)**品牌（如MKS微波系統(tǒng)、MKS蝶閥、INFICON真空計(jì)等），確保設(shè)備長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。

廣泛兼容，應(yīng)用多元

安動(dòng)微波去膠機(jī)能力強(qiáng)大，可處理多種材料與工藝：

光刻膠類(lèi)型：正膠、負(fù)膠、SU-8負(fù)膠、聚酰亞胺(PI)膠等。

關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域：

半導(dǎo)體制造：光刻后晶圓去膠，為刻蝕、離子注入等關(guān)鍵工藝提供潔凈表面。

MEMS制造：批量去除光刻膠以形成精密微結(jié)構(gòu)（如壓力傳感器）。

先進(jìn)封裝：襯底清潔、去除光刻膠及有機(jī)物雜質(zhì)，提升鍵合/封裝質(zhì)量與可靠性。

其他應(yīng)用：有機(jī)物去除、基片表面等離子體改性、失效分析（器件開(kāi)封）等。

為何選擇安動(dòng)微波去膠機(jī)？

提升效率： 高速去膠，縮短生產(chǎn)周期。

保障良率： 微損傷、高均勻性，保護(hù)昂貴晶圓。

降低成本： 省去化學(xué)溶劑采購(gòu)、處理費(fèi)用，降低綜合運(yùn)營(yíng)成本。

履行責(zé)任： 實(shí)現(xiàn)綠色、安全生產(chǎn)，滿足ESG要求。

面向未來(lái)： 滿足先進(jìn)制程對(duì)工藝精度和環(huán)保的更高要求。

擁抱綠色高效干法去膠新紀(jì)元！安動(dòng)半導(dǎo)體微波去膠機(jī)，是您提升工藝水平、實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的理想伙伴。